p61（23.3 分钟）、p62（4.7 分钟）、p63（5.1 分钟）、p64（13.3 分钟）
N MOS 源极不接地会怎样
场景
N MOS 的 S 极不接 GND，而是接在负载上（如半桥驱动电路 / 推挽电路的上管：两个 N MOS，上管接 VCC、下管接 GND，中间作为输出）。
结论
S 极不接 GND 时，N MOS 不会饱和导通，会进入放大状态。
推导
设 G 极控制电压 5V，后级电源 4.5V（实物用 3 节电池），Vgs(th) = 2V。
上电前所有电压为 05V 接入瞬间：VG = 5V、VS = 0V → Vgs = 5V → 饱和导通，开始给负载供电
但 S 点电压不是瞬间到 4.5V，而是从 0V 慢慢上升由于 Vgs = VG − VS，VS 上升 → Vgs 下降 VS = 1V 时 Vgs 只剩 4V VS = 3V 时 Vgs 只剩 2V = 临界饱和 VS = 3.001V 时，MOS 从饱和导通变为放大状态进入放大状态后 MOS 不再是开关，等效为一个大电阻，产生压降并分压，最终把 S 点电压限制在约 3V 上不去。
仿真验证
本应输出 12V，实际示波器只有 1.35V，即 MOS 吃掉了约 10.7V。
发热量化
负载电阻改为 10Ω：
电压只有 1.3V → 电流约 130mA130mA × 约 10V → MOS 上损耗超过 1W → 必然发热解决一：G 极驱动电压取得比负载电源更高
负载电源 4.5V，G 极用 8V 驱动→ 即使 4.5V 全部过来，Vgs 仍有 5.5V 压差，仍能饱和导通代价是成本高。8V 不会凭空产生，需要升压电路（电荷泵或 boost），无论哪种都要多一个芯片电路。
解决二（低成本）：自举电路
利用「电容两端电压不能突变」的特性实现电压自举。
接法：把驱动电源（5V）的负极接到 MOS 的 S 极（而不是接到电路的地），正极接 G 极。
原理：
把驱动电源当成一个电池，其正极永远比负极高 5V开关闭合 → Vgs = 5V → MOS 导通 → 12V 送到 SS 被抬高的同时，G 相对 GND 也被同样抬高 （相当于 12V 电源与 5V 电源首尾串联）G 点被顶到约 17V→ 因此 Vgs 始终保持 5V ✓仿真效果：S 点得到 11.8V ≈ 12V。不加自举则至少需要 15V 驱动。
实物验证：把驱动电源负极改接到 S 极后，只需调到 2V 以上（1.9V 时负载得 4.78V），再调高也一直是 4.78V——永远保证 Vgs 等于所加驱动电压。
实际电路用自举电容而非电池，典型结构含：
几个开关（控制 G 极通断）+ 一个电容 + 一个自举二极管 + 底部给电容充电的回路充满电后该电容就等效于上面说的「电池」，这个电容叫自举电容。
实物验证（未用自举时）
驱动 5V → 10Ω 负载上 3.4V → 推出该 MOS 的开通电压约 1.5V驱动 6V（= 4.5 + 1.5） → 4.4V驱动 8V → 4.8V再往上 → 4.79V 不再变化（已饱和导通，电源完全送到负载）这部分内容很常用，特别是 H 桥里的知识点。
P MOS 电源开关设计
思路：直接用 P MOS 替代 N MOS，从而免去自举等复杂驱动电路。
P MOS 天生适合做电源端开关，因为它的导通条件是 G 极电压比 S 极低 → S 极通常接电源。
VCC(12V) ──┬── S │ P MOS ├── D ──[ 电阻 ]──[ LED ]── GND │ [ 下拉电阻 ] │ GNDG 极加一个下拉电阻到 GND → G = 0V → Vgs 比 S 低 12V → 导通。
关键好处：S 本来就接在电源最高点，导通与否都不会影响 Vgs 本身（12V 一直是 12V），不存在 N MOS 那种 S 电位抬高导致 Vgs 崩塌的问题。
G–S 电阻取值
低频（开关频率约 100K 以下）：100K 左右高频：可减到 4K规律：电阻越小 → 开关速度越高，但损耗越大用 P MOS 替代后，驱动电路从原来「一堆复杂电路」简化为两个电阻 + 一个开关。
实际电路中很少用机械开关，一般用三极管或 MOS 管，由单片机控制。
P MOS 的局限
大功率、高频、大电流场景下 P MOS 无法替代 N MOS。
原因是工艺：在同等成本、同等级工艺下，P MOS 做出来的性能就是不如 N MOS。因此高频或大电流场景优先考虑 N MOS。
P MOS 防反接电路
电源 12V，P MOS 作防反接；由 MCU 经三极管控制 G 极。
正常工作流程
① 控制信号为低电平 → 三极管断开 → G 点与 S 点电位相同 → MOS 不闭合② 12V 接入后先经过体二极管 → 该点变为 11.3V（= 12 − 0.7V 二极管压降）③ 11.3V 一方面给负载供电，一方面经降压电路给 MCU 供电 （在此之前 12V 未接入，MCU 不工作，所以三极管必然断开）④ MCU 工作后写程序让控制信号变高电平 → 三极管导通⑤ 11.3V 经两个电阻分压得到约 6V → 满足 MOS 导通条件 → MOS 闭合 → 体二极管被短路 → 该点电压从 11.3V 变成 12V ✓时序很巧妙：先靠体二极管「漏」一点电给 MCU 启动，MCU 起来后再把 MOS 打开，把 0.7V 的损失补回来。体二极管在这里不是缺陷，而是启动通道。
反接保护原理（电池接反）
若无 MOS 管：12V 直接接到 MCU 的 D 端 而 MCU 不能承受反向耐压，很可能直接损坏
加了 MOS 管后：12V 确实会到 MCU 的 D 端 但要损坏器件的前提是必须流过电流 而这里不会流过电流为什么不会流过电流：
三极管不导通→ 两个分压电阻上没有电流也就没有压降→ MOS 不导通→ 电流路径被寄生体二极管中断（方向不通）→ 没有电流 → 反接不影响后级 ✓简化版本
直接把三极管位置接地，MOS 的控制与 MCU 完全无关，只负责给 MCU 供电：
12V 一接进来立刻变 11.3V→ 两个电阻分压成 6V→ MOS 立刻导通 → 短路体二极管 → 立刻变成 12V去掉三极管效果一样（MCU 控不控制三极管最终都一样会饱和导通），同样具备防反接效果。
MOS 的电流可以双向流通
结论
三极管电流单向流通；MOS 管 D–S 之间的电流可以双向流通。
网上资料说「MOS 电流单向」是错的。
结构层面的解释（N MOS）
S、D 掺 N 型半导体，衬底是 P 型G–S 加正向电压后，在 D 和 S 之间形成沟道电子通过沟道从 S 流到 D——因为沟道就是「一条沟」，电子既可以从 D 流向 S，也可以从 S 流向 D只要 G–S 满足导通条件，S 和 D 就是直接接在一起的，电流方向无所谓。
实验对比（万用表测 DS 两端电压，≈0 即正常导通）
正常接法（上正下负）：开关断开 DS 两端 = 5V；开关闭合 = 0V（正常导通）反接（下正上负）：开关断开测到 −0.58V（体二极管压降）；开关闭合立刻变成 0V抵消体二极管的接法
在原有 MOS 基础上再加一个 MOS，反向（镜像）画。
两个 MOS 都断开时： 第一个体二极管能让电流通过 但走到第二个 MOS 时其体二极管面对面相互抵消 → 电流不能通过 → 反接时电流也不通 ✓开关一闭合，两个 MOS 都导通，电流正常流通 ✓典型应用
模拟开关芯片内部就是大量使用这种 MOS 结构——模拟开关芯片的电流能双向流通，就是利用了 MOS 的 D–S 之间没有电流方向这一特性。
常见的误区是一用 MOS 就觉得电流只能单向流，因为「老觉得那个二极管在那里作怪」——其实二极管可以通过加多一个 MOS 抵消掉。
N MOS 还是 P MOS 做电源开关
能放低边就用 N MOS，最简单。
必须高边 + 小功率/低频 → 用 P MOS（驱动简单）必须高边 + 大功率/高频 → 用 N MOS + 自举驱动N MOS 做高边需要自举或升压驱动，电路复杂，但性能好，适合大功率、高频、大电流；P MOS 做高边只要两个电阻 + 一个开关，复杂度低，但性能略差，只适合小功率、低频。两者成本都低（N MOS 的驱动部分贵）。
坑
- N MOS 源极不接地就一定进放大状态，会发热且输出上不去。
- 自举的本质是「让驱动电源的地跟着源极一起抬」，把 G 点顶到比电源还高。
- P MOS 做高边开关简单，但性能不如 N MOS，大电流高频场景不能用。
- 防反接电路里体二极管是启动通道，不是缺陷；反接保护的原理是「没有电流」而不是「没有电压」。
- MOS 电流可以双向流；抵消体二极管要两个 MOS 镜像串联。仿真里也要加 G–S 电阻，否则模型太理想，看不出真实问题。
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