p58(10 分钟)、p59(14.5 分钟)、p60(10 分钟)
开关电路设计
N MOS 开关
和 NPN 三极管控制 LED 的电路结构一一对应——D 对应集电极、S 对应发射极。
VCC(5V) ──[ LED ]──[ 限流电阻 ]── D │ N MOS 控制端 ───────────── G S │ GND数值验算:开关闭合 → VG = 5V、VS = 0V → Vgs = 5V;设 Vgs(th) = 2V → 导通,LED 亮。
P MOS 开关
和 PNP 三极管电路逻辑相似——S 接电源端,D 下方接电阻 + LED 到地。
数值验算:S = 5V,G 经电阻接开关到 GND,开关闭合 → VG = 0V → Vgs = 0 − 5 = −5V;设 Vgs(th) = 2V(对应 −2V)→ 满足导通条件,LED 亮。
核心区别
三极管是电流控制电流,必须先有 Ib 才有 Ic;MOS 管是电压控制电流,只要 Vgs 够就行。
三极管:B 极必须加限流电阻,否则 5V 怼上去瞬间烧管MOS 管:G 极可以不加(导通时 G–S 之间没有电流)MOS 的 G 极为什么可以不加限流电阻:G–S 之间是绝缘的,导通时没有电流流过,不存在「限流」的需求。实物演示中确实没加任何电阻。
实物演示
MOS 管与三极管的封装外形一模一样(都是 TO-92 这种)。封装就是芯片的衣服。
接上 5V 电源、GND,灯不亮;把 G 那一点接到 VCC → 灯亮;手放开 → 灯灭。
引申
MOS 导通后自身不消耗驱动电流,所以低功耗芯片内部大多采用 MOS 结构。
寄生电容问题
现象
最简单的 MOS 开关电路(5V + LED,G 经开关接 5V):按理论开关断开就该灭,但实际开关断开后 LED 继续亮。
原因
开关闭合时:G = 5V、S = 0V → G–S 寄生电容被充到 5V → Vgs 电压就等于该电容电压,故仍满足导通开关断开后:G 往上是断开的开关、往下是绝缘层 → 电容没有放电回路 → Vgs 仍保持约 5V → 继续导通为什么是缓慢下降
任何绝缘材料都不可能 100% 绝缘,总有一点漏电流。寄生电容靠 MOS 内部漏电流慢慢放电,最终也会关断,但有明显延时。
仿真演示:G 极电压 4.95V → 4.94V → 4.93V… 缓慢下降。
实物演示(降低曝光后可见):G 接到电源灯亮,手一离开灯是慢慢慢慢灭的,不是立刻灭。
和三极管对比
三极管是电流控制型,自身持续消耗电流,控制信号一撤走就快速消耗掉电容能量,立刻灭;MOS 是电压控制型,栅极绝缘,电容没地方放电,慢慢灭。
解决:G–S 之间加一个电阻
给寄生电容提供放电回路。
一般加 100K。加小了,开关闭合期间电阻会一直耗能,损耗大;加这么大还够快,是因为寄生电容一般是 pF 级别,很小。
τ = RC = pF × 100K = 微秒级微秒对人是一瞬间,对电路不算特别快。
进一步加速:推挽驱动
用一个专用芯片,内部就是两个开关——一个接 VCC、一个接 GND,对 G 极电容快速充放电,实现快速开关。
三极管侧同样要加电阻
作用是抗干扰:实物演示中三极管基极不加电阻时,手摸上去灯会闪——工频干扰在人体上感应出电荷,导致三极管不断闪烁。
实物验证
在 G–S 之间缠上一个 100K 电阻后,开关闭合再断开,LED 立刻熄灭,「慢慢变暗」的现象消失。
坑
不要想当然认为 MOS 开关跟三极管一样设计就行。有些 MOS 管的漏电特性非常好,不加放电回路时,开关断开后能持续导通十几秒(实际遇到过这种现场)。
寄生体二极管
方向先记牢
N MOS 体二极管:从 S 指向 DP MOS 体二极管:从 D 指向 S案例:P MOS 控制电池供电开关
设 P MOS 的 Vgs(th) = 3V;电池输入 6V。
三极管断开:G = 6V、S = 6V、Vgs = 0 → MOS 断开,负载无电三极管导通:G ≈ 0.3V、S = 6V,满足条件 → MOS 导通,6V 送到负载双路供电的坑
逻辑是检测到外部电源接入就断开 MOS,让电池不再供电。
外部电源 6V,电池用久后降到 5.5V:
MOS 断开后,外部 6V 会经过体二极管给电池充电(设体二极管压降 0.5V)若电池掉到 5V,6V 经二极管给 5V 供电,会有很大的电流仿真实测:正常供电时负载电流约 6mA;接入外部电源后约 6A(就是给电池充电的电流)。后果要么电池坏掉,要么 MOS 坏掉。
解决办法一:把 MOS 调换方向(S/D 对调)
开关闭合:依旧约 6mA ✓电池降到 5V、切到外部电源:只有 36pA(相当于没有)✓代价(必须注意):换向之后,该 P MOS 不能再关断电池对外的供电——即使开关断开,电池仍会经体二极管给负载供电,无法完全关闭。
解决办法二:再加一个 P MOS 反向串联
利用体二极管与体二极管相互抵消,从而彻底关断。
仿真踩坑记录:第一次接线时电阻画错位置——这个电阻一定要加在 G–S 之间。
只换向:开关断开后仍有电流(约 4.8V 处),说明「没有关死」加第二个反向 MOS:默认无电压;闭合有电压;再断开就没电流、电压≈0; 从另一侧送电同样只有 pA 级电流 ✓总原则
只要电路里用到 MOS 管——第一考虑寄生电容,第二考虑寄生体二极管。
设计完电路后,要把二极管加进来,推演 MOS 断开时二极管会给电路带来什么影响。
这两个东西非常容易导致电路出问题;即使「用多一个 MOS 去控制体二极管」,也一样会遇到同类问题。
G–S 电阻取值
低频开关(< 100K):100K,损耗小,放电够快高频开关:可减到 4K,速度快,损耗大规律:电阻越小 → 开关速度越高,但损耗越大恒定原则:不管用 P MOS 还是 N MOS 做开关,G–S 之间必须加一个电阻。
坑
- MOS 的 G 极不需要限流电阻,但必须有 G–S 电阻放电,且位置必须加在 G–S 之间。
- 开关断开后灯还亮是寄生电容在维持 Vgs,不是电路画错了。
- 寄生体二极管会让 MOS「关不死」,必须推演它带来的电流路径。
- 电池 + 外部电源双路供电时,体二极管会造成大电流倒灌(6mA → 6A)。
- 换向能解决倒灌,但会失去关断能力,要彻底解决必须反向串联两个 MOS。
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