1
电容类似电池，直流电源充电时电压会慢慢充到电源电压
2
开关一直闭合 → 输出从 0 一直充到 12V
3
想降到 5V：看万用表，输出小于 5V 就闭合开关；升到 5V 就断开
4
带负载时：断开后电压往下掉，掉到 4.9V 再闭合；冲到 5.1V 再断开
5
→ 输出在 5V 附近来回抖动

1
不做任何控制、开关一直闭合  →  一直升高，最终冲到 12V
2
人为控制（到 5V 断开）      →  维持在 5V
3
加 100Ω 负载                →  反复通断，维持约 5V

1
去掉后充电回路的等效电阻 R 极小
2
→ 电容充电时间常数 τ = R × C 极小
3
→ 充电速度极快
4
→ 开关一闭合电压「唰」一下从 0 冲到 12V
5
→ 人/控制电路根本来不及断开开关

1
电感是储能器件，理想状态下不耗能  →  解决电阻损耗问题
2
电感电流不能突变                  →  保留「抑制电容充电速度」的作用

1
开关断开瞬间，电感原来的电流回路被切断
2
→ 等价于电感回路的电阻发生突变
3
→ 而电感回路电阻绝不能突变，突变会感生一个非常大的电压
4
→ 这个高压会轻松击穿开关

1
开关断开后电感发现原支路走不通，但存在一条新支路
2
→ 通过二极管形成完整续流回路 → 不再产生高压

1
输入电容 + 开关 + 电感 + 续流二极管 + 输出电容 + 负载

1
开关闭合时输出和电感电流一起慢慢升高
2
开关一断开，电感强制把能量释放出去
3
→ 实际上是给开关的寄生电容充电
4
→ 寄生电容容值非常非常小
5
→ 电感能量转移过去后，电容两端产生很高的电压
6
→ 若开关是 MOS 管，很容易被击穿

1
把电阻换成电感，闭合开关 → 输出电压慢慢上升（速度越来越快）
2
先测输出电容两端电压 → 断开瞬间看不到明显高压（看错了观察点）
3
改测开关两端电压 → 断开瞬间出现极高尖峰
4
  示波器刻度调到 5000V/格，尖峰超过 5000V 还多约 1.2 格

1
开关         → 集成在芯片内部（Vin 到 SW 端之间）
2
二极管       → 也集成在芯片内部（在 GND 与 SW 之间）
3
电感         → 外部可见
4
电容         → 外部可见（两个输出电容）
5
控制电路（「人」）→ 就是芯片本身

1
① 芯片上电后通过反馈电阻检测输出电压
2
② 目标 5V，若检测到小于 5V → 让开关闭合
3
   更专业的说法是：让 MOS 管的占空比变大
4
③ 占空比变大 → 12V 给后级提供的能量越来越多 → 输出电压越来越高
5
④ 升到约 5V 时达到平衡，芯片对占空比做微调

1
开关闭合时：电源能量同时给电容充电和给负载供电（两条路径）
2
达到平衡后开关断开瞬间：电感续流
3
电感续流结束后：由输出电容持续给负载提供能量

1
① 电感串开关，开关闭合 → 有电流流过，电感蓄能
2
② 开关突然断开 → 电感两端产生比电源高得多的电压 → 这就是升压的来源
3
③ 关键是怎么把能量收集起来：后级加一个储能电容
4
④ 开关断开后，电感电流仍要从左往右流 → 强制把电流灌到后级电容
5
⑤ 依据 V = Q / C：
6
   电感强制把大量电荷送到后级电容，Q 上升、C 不变 → V 必然上升
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⑥ 每充一次电，电容电压就上升一个台阶

1
开关闭合时：电源给电感充能
2
           此时二极管因该点电压变成 0 而反向截止
3
           → 阻止后级电容放电 ✓
4
开关断开时：电感强制给后级充电，电压上升一个台阶 ✓

1
电感 + 开关 + 二极管 + 输出电容

1
电感位置：BUCK 在开关之后（串联），BOOST 在开关之前（串联）
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二极管作用：BUCK 续流（给电感提供回路），BOOST 隔离（防止电容倒放）
3
输出：BUCK 比输入低，BOOST 比输入高
4
电容电压：BUCK 跟随，BOOST 一个台阶一个台阶上升

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上电瞬间输出被充到约 12V
2
闭合开关 → 电感电流升高
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断开 → 输出电压上升一个台阶
4
断开时间太长会升得非常高
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加 1Ω 电阻限制电感电流后：
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  反复「闭合—断开」，输出电压呈一个个台阶上升
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  想输出 10V 就持续控制，稳定后放电到 10V 以下再闭合—断开